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SiC MOSFET

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驅(qū)動電路設計（七）——自舉電源在5kW交錯調(diào)制圖騰柱PFC應用

隨著功率半導體IGBT，SiCMOSFET技術的發(fā)展和系統(tǒng)設計的優(yōu)化，電平位移驅(qū)動電路應用場景越來越廣，電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1...

2025-03-24 標簽：電源電路設計 PFC 2484 0

SiC MOSFET在3-kW LLC變換器設計中的優(yōu)勢

使用寬帶隙半導體材料(如碳化硅或氮化鎵)制造的電源開關現(xiàn)在在電力變換器中得到了廣泛應用。SiC晶體管的高速開關特性以及低反向恢復電荷，或氮化鎵HEMT的...

2025-03-21 標簽：電源開關 LLC變換器 SiC MOSFET 383 0

案例探討正電壓浪涌的對策和其效果

為了驗證抑制電路的效果，將抑制電路單獨安裝在SiC MOSFET（SCT3040KR）的驅(qū)動電路上并觀察了其波形。下面是所用SiC MOSFET的外觀和...

2024-01-26 標簽：電容器驅(qū)動電路電壓浪涌 761 0

SiC MOSFET的橋式結構

2023-12-07 標簽：SiC MOSFET 785 0

SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討

2023-12-05 標簽：SiC 驅(qū)動電壓 SiC MOSFET 2859 0

芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品

芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之...

2023-08-16 標簽：MOSFET 功率器件 SiC MOSFET 804 0

特斯拉Model Y Gen-4主驅(qū)逆變器拆解

Model-Y Drive Unit的主要改進：不再使用泄放電阻（可能使用電機繞組對母線電容放電）；使用本地隔離偏置為柵極驅(qū)動器電路供電，以降低...

2023-06-15 標簽：變壓器逆變器特斯拉 3373 0

新能源汽車功率模塊結溫在線監(jiān)測技術研究

提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導通壓降及電流在線檢測電路，設計了兼具結溫監(jiān)測功能的驅(qū)動電路，并提出了- -種結溫反推方法，提升了結...

2023-05-23 標簽：MOSFET IGBT 功率器件 657 0

一文詳解功率器件封裝結構熱設計方案

通過對現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻的總結，從器件封裝結構散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。

2023-04-26 標簽：pcb 半導體技術功率器件 2180 0

典型車用IGBT芯片結構設計解析

Sic MOSFET的正柵壓目前已經(jīng)于Si IGBT相當(+15V) ,但負柵壓仍有很大差別(-5V) ，Sic MOSFET開關速度快引起的EMII問...

2023-04-17 標簽：emi IGBT 晶體管 580 0

sic mosfet帖子

麥科信光隔離探頭在碳化硅（SiC）MOSFET動態(tài)測試中的應用

標簽：SiC MOSFET 829 0

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1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表立即下載

類別：電子資料 2024-01-03 標簽：Nexperia SiC MOSFET 314 0

NSF040L3A0：1200伏，40米?,NN溝道SiC MOSFET應用指南立即下載

類別：電子資料 2023-12-19 標簽：SiC MOSFET 271 0

NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET一般說明立即下載

類別：電子資料 2023-12-19 標簽：SiC MOSFET 244 0

用于直流變換器的SiC MOSFET驅(qū)動電路設計立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2023-11-30 標簽：直流變換器驅(qū)動電路 SiC MOSFET 418 0

基于SiC MOSFET的精確分析模型立即下載

類別：電源技術 2018-03-13 標簽：SiC MOSFET 1527 0

SiC MOSFET與SiC SBD換流單元瞬態(tài)模型立即下載

類別：電工論文網(wǎng) 2018-02-01 標簽：SiC MOSFET 1009 0

sic mosfet資訊

傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊

傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界關鍵詞：1200V/...

2025-06-24 標簽：封裝 BASIC SiC MOSFET 104 0

SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)柵極氧化層可靠性挑戰(zhàn)與破局之路

SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)柵極氧化層可靠性挑戰(zhàn)與破局之路碳化硅（SiC）MOSFET因其高耐壓、低損耗等特性，在新能源、電動汽車等領域備受關注。...

2025-05-27 標簽：柵極 SiC MOSFET 121 0

SiC MOSFET模塊在英偉達800V HVDC電源系統(tǒng)中的技術優(yōu)勢與應用價值

基本半導體BMF240R12E2G3 SiC MOSFET模塊在英偉達800V HVDC電源系統(tǒng)中的技術優(yōu)勢與應用價值隨著AI數(shù)據(jù)中心對算力需求的爆發(fā)...

2025-05-23 標簽：電源系統(tǒng)英偉達 SiC MOSFET 234 0

新品 | 采用電平位移驅(qū)動器碳化硅SiC MOSFET交錯調(diào)制圖騰柱5kW PFC評估板

新品采用電平位移驅(qū)動器碳化硅SiCMOSFET交錯調(diào)制圖騰柱5kWPFC評估板電子設備會污染電網(wǎng)，導致電網(wǎng)失真，威脅著供電系統(tǒng)的穩(w...

2025-05-22 標簽：驅(qū)動器評估板碳化硅 503 0

Nexperia推出新款汽車級SiC MOSFET，具備卓越效率與熱穩(wěn)定性

近日，Nexperia宣布推出一系列高效且堅固的汽車級碳化硅(金屬氧化物半導體場效應晶體管，SiCMOSFET)，這些新產(chǎn)品在RDS(on)額定值方面分...

2025-05-08 標簽：Nexperia SiC MOSFET 汽車 279 0

碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相

在碳化硅（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛...

2025-04-30 標簽：英飛凌碳化硅 SiC MOSFET 197 0

SiC功率模塊工商業(yè)儲能PCS的主流化與SiC單管并聯(lián)方案的運維成本劣勢

E2B碳化硅SiC功率模塊工商業(yè)儲能變流器PCS的主流化與單管并聯(lián)方案的運維成本劣勢傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(...

2025-05-06 標簽：SiC 功率模塊 PCS 177 0

SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊，助力緊湊型高性能電源系統(tǒng)

在高電壓和高效率應用領域，SemiQ作為一家領先的設計和開發(fā)企業(yè)，近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創(chuàng)新模塊旨.....

2025-04-17 標簽：MOSFET SiC 電源系統(tǒng) 322 0

廣東佳訊邀您一起探究：SiC MOSFET 替代 IGBT ，這是必然走向嗎？

碳化硅MOSFET以其高開關速度、高溫工作能力和低導通電阻等優(yōu)勢，在電動汽車、太陽能逆變器等領域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優(yōu)勢，但碳...

2025-01-15 標簽：IGBT SiC MOSFET 545 0

國產(chǎn)SiC MOSFET，正在崛起

來源：電子工程世界 SiC（碳化硅），已經(jīng)成為車企的一大賣點。而在此前，有車企因是否全域采用SiC MOSFET，發(fā)生激烈輿論戰(zhàn)?？梢?，Si...

2025-01-09 標簽：SiC MOSFET 496 0

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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無線供電，是一種方便安全的新技術，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設備，用戶使用移動設備掃描設備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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