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SiC MOSFET

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案例探討正電壓浪涌的對策和其效果

為了驗證抑制電路的效果，將抑制電路單獨安裝在SiC MOSFET（SCT3040KR）的驅(qū)動電路上并觀察了其波形。下面是所用SiC MOSFET的外觀和...

2024-01-26 標(biāo)簽：電容器驅(qū)動電路電壓浪涌 516 0

SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

2023-12-07 標(biāo)簽：SiC MOSFET 539 0

SiC設(shè)計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討

2023-12-05 標(biāo)簽：SiC 驅(qū)動電壓 SiC MOSFET 2158 0

芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品

芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應(yīng)用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之...

2023-08-16 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC MOSFET 590 0

特斯拉Model Y Gen-4主驅(qū)逆變器拆解

Model-Y Drive Unit的主要改進：不再使用泄放電阻（可能使用電機繞組對母線電容放電）；使用本地隔離偏置為柵極驅(qū)動器電路供電，以降低...

2023-06-15 標(biāo)簽：變壓器逆變器特斯拉 2797 0

新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測技術(shù)研究

提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測電路，設(shè)計了兼具結(jié)溫監(jiān)測功能的驅(qū)動電路，并提出了- -種結(jié)溫反推方法，提升了結(jié)...

2023-05-23 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率器件 473 0

一文詳解功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計方案

通過對現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻的總結(jié)，從器件封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。

2023-04-26 標(biāo)簽：pcb 半導(dǎo)體技術(shù)功率器件 1723 0

典型車用IGBT芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計解析

Sic MOSFET的正柵壓目前已經(jīng)于Si IGBT相當(dāng)(+15V) ,但負(fù)柵壓仍有很大差別(-5V) ，Sic MOSFET開關(guān)速度快引起的EMII問...

2023-04-17 標(biāo)簽：emi IGBT 晶體管 492 0

《電動汽車電力電子技術(shù)及市場-2023版》

SiC MOSFET的采用是中期展望的主旋律，將迅速增長并主導(dǎo)市場份額，IDTechEx在報告中給出了各類器件的應(yīng)用時間表。雖然經(jīng)過驗證的SiC MOS...

2023-02-23 標(biāo)簽：電動汽車功率器件 SiC MOSFET 1387 0

高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀

高壓 SiC MOSFET 由于其單極工作模式，高擊穿電壓將嚴(yán)重限制器件的導(dǎo)通電流能力。例如對于10 kV 等級器件來說，室溫下其電流等級約為 20~4...

2023-02-03 標(biāo)簽：SiC SiC MOSFET 3581 0

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1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表立即下載

類別：電子資料 2024-01-03 標(biāo)簽：Nexperia SiC MOSFET 200 0

NSF040L3A0：1200伏，40米?,NN溝道SiC MOSFET應(yīng)用指南立即下載

類別：電子資料 2023-12-19 標(biāo)簽：SiC MOSFET 175 0

NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET一般說明立即下載

類別：電子資料 2023-12-19 標(biāo)簽：SiC MOSFET 158 0

用于直流變換器的SiC MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2023-11-30 標(biāo)簽：直流變換器驅(qū)動電路 SiC MOSFET 308 0

基于SiC MOSFET的精確分析模型立即下載

類別：電源技術(shù) 2018-03-13 標(biāo)簽：SiC MOSFET 1421 0

SiC MOSFET與SiC SBD換流單元瞬態(tài)模型立即下載

類別：電工論文網(wǎng) 2018-02-01 標(biāo)簽：SiC MOSFET 960 0

sic mosfet資訊

廣東佳訊邀您一起探究：SiC MOSFET 替代 IGBT ，這是必然走向嗎？

碳化硅MOSFET以其高開關(guān)速度、高溫工作能力和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，在電動汽車、太陽能逆變器等領(lǐng)域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優(yōu)勢，但碳...

2025-01-15 標(biāo)簽：IGBT SiC MOSFET 85 0

國產(chǎn)SiC MOSFET，正在崛起

來源：電子工程世界 SiC（碳化硅），已經(jīng)成為車企的一大賣點。而在此前，有車企因是否全域采用SiC MOSFET，發(fā)生激烈輿論戰(zhàn)?？梢?，SiC這一市場在...

2025-01-09 標(biāo)簽：SiC MOSFET 69 0

IFWS&SSLCHINA2024 蘇州盛大開幕，超千人齊聚探尋產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新融合新思路

2024年11月19日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇SSLCHINA2024）在蘇州開幕。本屆論壇由蘇州實驗室、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA...

2024-11-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC MOSFET 379 0

車載用SiC MOSFET又增10個型號，業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容！

ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET 【關(guān)鍵詞】滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)...

2024-08-25 標(biāo)簽：元器件 SiC MOSFET 257 0

如何更好地驅(qū)動SiC MOSFET器件？

IGBT的驅(qū)動電壓一般都是15V，而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動電壓各品牌并不一致，15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅(qū)動電壓有助于降低器...

2024-05-13 標(biāo)簽：芯片 MOSFET IGBT 676 0

小米SU7碳化硅應(yīng)用情況如何？

小米SU7單電機版，400V電壓平臺的電驅(qū)供應(yīng)商為聯(lián)合汽車電子，其中搭載了來自博世的碳化硅芯片，根據(jù)調(diào)研：其中搭載了博世第二代750V，6毫歐的芯片產(chǎn)品。

2024-04-11 標(biāo)簽：永磁電機碳化硅 SiC MOSFET 1290 0

SiC MOSFET用于電機驅(qū)動的優(yōu)勢在哪里

低電感電機低電感電機有許多不同應(yīng)用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應(yīng)電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高...

2024-01-16 標(biāo)簽：電機電機驅(qū)動 SiC MOSFET 306 0

全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)正在以每年10%速度增長

汽車半導(dǎo)體市場預(yù)計到 2022 年將達到 599 億美元，2023 年至 2032 年復(fù)合年增長率 (CAGR) 為 10.3%，達到 1531.1

2023-12-21 標(biāo)簽：存儲器功率器件半導(dǎo)體器件 836 0

安世半導(dǎo)體推出首款SiC MOSFET，聚焦電動汽車充電樁等市場

，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出...

2023-12-05 標(biāo)簽：電動汽車充電樁 SiC MOSFET 519 0

1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報告

2023-12-05 標(biāo)簽：二極管功率器件碳化硅 638 0

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
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UCD3138

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”

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